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HiSilicon Hi3798CV200

HiSilicon Hi3798CV200

核心频率： 1.6 GHz
核心数量： 4核
制造工艺： 28 nm
生产年份： 2015

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单核性能

多核性能

基本参数完整参数 >>

核心数核心数决定并行处理任务能力，越多越适合多任务处理和高性能需求场景。	4核
工艺制程数值越小，晶体管越密集，性能越高，能耗越低，发热越少。	28 nm
核心频率核心频率决定常规运行速度，越高处理越快，但功耗和发热通常增加。	1.6 GHz
单核心性能单核心性能越高越适合单线程密集型任务,日常滑动操控更流畅。	点击查看>>
多核心性能多核心越高越适合多线程密集型任务，多开应用更流畅，视频导出更快。	点击查看>>
集显性能集显性能决定图形处理能力，打游戏、看视频更流畅。	点击查看>>

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