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HiSilicon Hi3798MV200
HiSilicon Hi3798MV200
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HiSilicon Hi3798MV200
天玑6300
天玑7400
天玑7300
骁龙7 Gen4
骁龙8s Gen 4
100%
763%
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1072%
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2127%
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1172%
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2485%
单核性能
多核性能

基本参数 完整参数 >>

核心数
核心数决定并行处理任务能力，越多越适合多任务处理和高性能需求场景。 		4核
工艺
制程数值越小，晶体管越密集，性能越高，能耗越低，发热越少。 		28 nm
核心频率
核心频率决定常规运行速度，越高处理越快，但功耗和发热通常增加。 		2.0 GHz
单核心性能
单核心性能越高越适合单线程密集型任务,日常滑动操控更流畅。 		点击查看>>
多核心性能
多核心越高越适合多线程密集型任务，多开应用更流畅，视频导出更快。 		点击查看>>
集显性能
集显性能决定图形处理能力，打游戏、看视频更流畅。 		点击查看>>
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HiSilicon Hi3798MV200 热门比较 自己比 >>

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