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联发科天玑1200

MediaTek Dimensity 1200

核心频率： 3.0 GHz
核心数量： 8核
制造工艺： 6 nm
生产年份： 0

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联发科天玑1200

天玑6300

天玑7400

天玑7300

骁龙7 Gen4

骁龙8s Gen 4

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单核性能

多核性能

基本参数完整参数 >>

核心数核心数决定并行处理任务能力，越多越适合多任务处理和高性能需求场景。	8核
工艺制程数值越小，晶体管越密集，性能越高，能耗越低，发热越少。	6 nm
核心频率核心频率决定常规运行速度，越高处理越快，但功耗和发热通常增加。	3.0 GHz
单核心性能单核心性能越高越适合单线程密集型任务,日常滑动操控更流畅。	点击查看>>
多核心性能多核心越高越适合多线程密集型任务，多开应用更流畅，视频导出更快。	点击查看>>
集显性能集显性能决定图形处理能力，打游戏、看视频更流畅。	点击查看>>

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2025

Helio G
- 联发科G200 6 nm
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- 联发科G100 Ultimate 6 nm
天玑9
- 联发科天玑9400+ 3 nm
- 天玑9400e 4 nm
天玑8
- 天玑8450 4 nm
- 天玑8400 Max 4 nm
天玑7
- 天玑7400X 4 nm
- 天玑7400 4 nm
- 天玑7300 Ultimate 4 nm
- 天玑7300 Pro 4 nm

2024

Helio G
- 联发科G99 Ultra 6 nm
- 联发科G99 Ultimate 6 nm
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- 联发科G92 12 nm
- 联发科G91 Ultra 12 nm
- 联发科G91 12 nm
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天玑9
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- 天玑9300+ 4 nm
天玑8
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- 天玑8400 4 nm
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天玑7
- 天玑7350 Pro 4 nm
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- 天玑7300 Ultra 4 nm
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- 天玑7300X 4 nm
- 天玑7300 4 nm
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- 天玑7025 6 nm
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2023

Helio G
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- 天玑7020 6 nm
天玑6
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2022

Helio G
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天玑9
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- 天玑8100 MAX 5 nm
- 天玑8100 5 nm
- 天玑8000 MAX 5 nm
- 天玑8000 5 nm

2021

Helio G
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- 天玑9000 4 nm
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Helio G
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- 天玑720 7 nm
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2019

Helio G
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- 联发科G90 12 nm
天玑8
- 天玑800 7 nm

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