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瑞昱 RTD1319C

Realtek RTD1319C

核心频率： 1.4 GHz
核心数量： 4核
制造工艺： 12 nm
生产年份： 2022

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瑞昱 RTD1319C

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骁龙7 Gen4

骁龙8s Gen 4

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单核性能

多核性能

基本参数完整参数 >>

核心数核心数决定并行处理任务能力，越多越适合多任务处理和高性能需求场景。	4核
工艺制程数值越小，晶体管越密集，性能越高，能耗越低，发热越少。	12 nm
核心频率核心频率决定常规运行速度，越高处理越快，但功耗和发热通常增加。	1.4 GHz
单核心性能单核心性能越高越适合单线程密集型任务,日常滑动操控更流畅。	点击查看>>
多核心性能多核心越高越适合多线程密集型任务，多开应用更流畅，视频导出更快。	点击查看>>
集显性能集显性能决定图形处理能力，打游戏、看视频更流畅。	点击查看>>

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瑞昱 RTD1319C 热门比较自己比 >>

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2024

- Realtek RTD1325 12 nm

2023

- Realtek RTD1619BPD 12 nm
- 瑞昱 RTD1619B 12 nm

2022

- Realtek RTD1319D 12 nm
- 瑞昱 RTD1319C 12 nm

2021

- Realtek RTD1315C 12 nm
- Realtek RTD1315 12 nm

2020

- Realtek RTD1619DR 12 nm
- Realtek RTD1619 12 nm
- Realtek RTD1319 12 nm

2019

- 瑞昱 RTD2873 12 nm
- 瑞昱 RTD2851 12 nm

2018

- Realtek RTD1395 12 nm
- Realtek RTD1296 12 nm

2017

- 瑞昱RTD1295 12 nm

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