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高通 MSM8909

Qualcomm MSM8909

核心频率： 1.1 GHz
核心数量： 4核
制造工艺： 28 nm
生产年份： 2014

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高通MSM8909

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骁龙8s Gen 4

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单核性能

多核性能

基本参数完整参数 >>

核心数核心数决定并行处理任务能力，越多越适合多任务处理和高性能需求场景。	4核
工艺制程数值越小，晶体管越密集，性能越高，能耗越低，发热越少。	28 nm
核心频率核心频率决定常规运行速度，越高处理越快，但功耗和发热通常增加。	1.1 GHz
单核心性能单核心性能越高越适合单线程密集型任务,日常滑动操控更流畅。	点击查看>>
多核心性能多核心越高越适合多线程密集型任务，多开应用更流畅，视频导出更快。	点击查看>>
集显性能集显性能决定图形处理能力，打游戏、看视频更流畅。	点击查看>>

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骁龙8
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骁龙4
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骁龙7
- 骁龙7 Gen 1 4 nm
- 骁龙782G 6 nm
骁龙6
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骁龙4
- 骁龙4 Gen 1 6 nm

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骁龙8
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- 高通骁龙888+ 5 nm
- 高通骁龙875G 5 nm
- 高通骁龙870 7 nm
骁龙7
- 骁龙7c Gen 2 8 nm
- 高通骁龙780G 5 nm
- 骁龙778G+ 6 nm
- 高通骁龙778G 5G 6 nm
骁龙6
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骁龙4
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- 高通骁龙480 8 nm

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- 高通骁龙768G 7 nm
- 骁龙765 7 nm
- 高通骁龙750G 8 nm
- 高通骁龙735 7 nm
- 高通骁龙732G 8 nm
- 高通骁龙720G 8 nm
骁龙6
- 高通骁龙690 8 nm
- 高通骁龙678 11 nm
- 高通骁龙662 11 nm
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骁龙7
- 骁龙765G 7 nm
- 高通骁龙730G 8 nm
- 高通骁龙730 8 nm
- 高通骁龙712 10 nm
骁龙6
- 骁龙665 11 nm

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